ナノ計測器『 計測事例DATA 』

☆ ナノセブン<TN-A1>・計測事例 ☆

1.ウェハ、各種基板材

2.金属材(研磨面)

3.その他計測例

計測設定  1D計測長:100µm / 2D計測エリア:100×100µm

1.ウエハ/各種基板材

1-1 4inch シリコンウエハー-①

1D粗さ(Ra:線粗さ) 0.26nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)0.26nm

1-2 4inch シリコンウエハー-②

1D粗さ(Ra:線粗さ)0.27nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)0.25nm

1-3 6inch シリコンウエハー+酸化膜

1D粗さ(Ra:線粗さ)0.25nm

2D粗さ(Sa:面粗さ) 0.20nm

1-4 6inch Au成膜ウエハー

1D粗さ(Ra:線粗さ)0.26nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)0.30nm

1-5 2inch GaNウエハー

1D粗さ(Ra:線粗さ)0.65nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)0.64nm

1-6 6inch サファイア基板

1D粗さ(Ra:線粗さ)1.22nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)1.40nm

1-7 4inch サファイア基板(中間研磨品)

1D粗さ(Ra:線粗さ)2.70nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)3.06nm

1-8 4inch サファイア基板(仕上研磨品)

1D粗さ(Ra:線粗さ)1.09nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)1.12nm

1-9 石英基板(精密研磨)

1D粗さ(Ra:線粗さ)0.75nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)1.04nm

1-10 石英基板(粗研磨)

1D粗さ(Ra:線粗さ)61.4nm

2D粗さ(Sa:面粗さ) 66.0nm

2.金属材(研磨面)

2-1 SUS304(研磨面)

1D粗さ(Ra:線粗さ)0.30nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)0.74nm

2-2 チタン(研磨面)

1D粗さ(Ra:線粗さ)1.87nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)2.87nm

2-3 比較用ラップ仕上面標準片(0.2-S/SN-2)

1D粗さ(Ra:線粗さ)7.69nm

2D粗さ(Sa:面粗さ)5.17nm

3.その他計測例

スクラッチ計測 / 段差計測 / 形状計測

3-1 スクラッチ計測(SUS研削スクラッチサンプル)

3-2 段差計測(VLSIスタンダード社/高さ標準ゲージ)

ゲージ中心部の段差(実測値:高さ20.2nm/幅100µm)の部分を計測

3-3 形状計測(VLSIスタンダード社/高さ標準ゲージ)

ゲージ上部のインクリメンタルピッチエリア(段差20nmでピッチ間隔が変化していく形状エリア)
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